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俄歇電子能譜儀
Auger Electron Spectroscopy(AES)
采用電子源入射樣品的表面激發(fā)出二次電子(用于形貌觀察)以及俄歇電子(用于成分分析)。通過配備離子濺射槍可進行材料縱向深度分析。AES主要用于分析固體材料表面納米深度的元素(部分化學態(tài))成分組成,可以對納米級形貌進行觀察和成分表征。既可以分析原材料(粉末顆粒,片材等)表面組成,晶粒觀察,金相分布,晶間晶界偏析,又可以分析材料表面缺陷如納米尺度的顆粒物、磨痕、污染、腐蝕、摻雜、吸附等,還具備深度剖析功能表征鈍化層,包覆層,摻雜深度,納米級多層膜層結構等。AES的分析深度4-50 ?,二次電子成像的空間分辨可達 3nm,成分分布像可達8nm,分析材料表面元素組成 (Li ~ U),是真正的納米級表面成分分析設備??蓾M足合金、催化、半導體、能源電池材料、電子器件等材料和產(chǎn)品的分析需求。
描述
儀器型號:PHI 710AES
儀器能力

檢測信息檢測能力
常規(guī)表面定性定量分析定性定量分析固體樣品表面的主要成分;信息深度:<10nm
分析固體樣品表面除氫和氦以外所有元素組成 ;(Li~U)
定量分析所測得的元素的相對含量(原子百分比);檢出限:0.1-1% 
多點分析,可同時對樣品表面多個區(qū)域進行分析——
SEM成像分析SEM成像,表征樣品表面形貌信息,高空間分辨率成像空間分辨率<3nm
Mapping分析/Line分析表征不同元素在分析區(qū)域的分布情況,從而判定成分分布的均勻性以及特定區(qū)域的成分組成等;采譜空間分辨率<8nm
深度分析深度剖析表征不同元素從表面到深度的縱向分布,可評價擴散、吸附、鈍化的程度以及表征多層膜層結構等;深度分辨:納米尺度
特殊分析項目*惰性氣氛轉(zhuǎn)移管,可保護電池、鈣鈦礦等樣品避免空氣和水分的影響;——
*原位液氮冷脆斷裝置,在真空腔室里進行原位的冷脆斷,制備新鮮斷面,避免樣品暴露大氣被氧化或吸附環(huán)境污染,用來研究金屬合金材料,金相,或晶間晶界成分的分布以及研究金屬斷裂失效。——
*EBSD——